성균관대학교는 전자전기공학부 박진홍 교수 연구팀이 10옹스트롬(1나노미터·㎚) 이하 기술 노드에 고려되고 있는 단결정 2D 반도체(두께가 원자 단위 수준으로 얇은 2차원 형태의 반도체 물질) 채널 기반 3D C-FET(3차원으로 적층된 n-FET과 p-FET을 전기적으로 연결한 구조의 트랜지스터) 반도체 소자 기술을 개발했다고 23일 밝혔다.
이번 연구는 기존 2D 평면 반도체의 집적도 한계를 기존 고온 공정 대신 저온 집적 공정을 통해 극복한 것으로, 반도체 집적 기술의 혁신적인 도약을 이뤘다는 평가를 받는다.
댓글목록